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第三屆電子元器件輻射效應國際會議在渝召開

發布時間:2019-06-03 | 作者:市科協企事業部 | 編輯:科協-劉露

5月30日-31日,由市科協作為支持單位,模擬集成電路國家級重點實驗室、中科院新疆理化所及哈爾濱工業大學聯合主辦的第三屆電子元器件輻射效應國際會議(ICREED)在重慶召開,來自中國、美國、俄羅斯、日本等10余個國家的240余名代表參加會議。

第三屆電子元器件輻射效應國際會議現場

會議邀請了電子元器件輻射效應領域多位國內外知名專家就材料、器件、電路及系統的空間輻照技術進行了交流探討并做主旨和邀請報告。中國航天科技集團第九研究院科技委趙元富、中科院蘭州近物所劉杰、哈爾濱工業大學李興冀、工信部電子五所恩云飛、美國范德堡大學Ken Galloway、Dan Fleetwood,俄羅斯ISDE空間設備工程研究所Vasily Anashin,日本神戶大學Takashi Uchino等國內外知名專家就硅基及第三代半導體功率器件、2D半導體材料、納米級CMOS集成電路等在空間中的應用進行了深入交流。

會議在技術與論文交流環節,與會科技工作者就材料、器件、電路及電子系統的輻射效應,測試方法,加固技術和評估方法展開了充分交流和討論。

會議期間,成立了ICREED會議學術委員會,中國科學院郝躍院士和劉明院士任學術委員會顧問,第四屆ICREED會議將于2021年在西安舉辦。

本次會議的成功舉辦為重慶市半導體行業和軍工電子發展注入新鮮血液,提升了業界知名度。

市科協企事業部供稿

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